华硕发布了一段18秒的预告视频，展示了其即将推出的Neo主板，旨在与市场上最好的主板竞争。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本将为AMD的AM5平台带来显著的生活质量升级，目前AM5平台拥有一些最优秀的CPU。硬件界又到了令人兴奋的时代，品牌们准备在CES 2026上发布最新创新产品。紧随MSI和技嘉发布Max和X3D更新之后，华硕凭借备受期待的Neo系列登上了聚光灯下。虽然“Neo”代表新或近期，但这些即将推出的AMD主板很可能继续基于AM
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AM5“Neo”主板 华硕Neo主板 CES 2026 NitroPath DRAM
随着人工智能基础设施的逐步扩充，内存供应紧张，价格飙升。《商业时报》援引行业专家的话，预测云高速内存消耗到2026年可能达到3艾字节（EB）。值得注意的是，考虑到高速内存如HBM和GDDR7的“等效晶圆使用量”，报告警告称人工智能实际上可能占全球DRAM供应近20%。报告指出，3EB预计将由三个关键组成部分驱动。首先，跨主要平台——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作负载预计实时内存需求将达到约750PB。考虑到实际部署所需的冗余和安全裕度，这一
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AI DRAM HBM 存储
三星电子于7月完成了6代10纳米级工艺的1代1c DRAM开发后，现正推进下一代DRAM技术。据The Elec报道，三星与三星先进技术研究院（SAIT）发布了一种实现亚10纳米DRAM的新方法，可能适用于0a和0b DRAM。正如韩国新闻2024年底报道，三星计划于2025年发布第六代10纳米1c型HBM4DRAM处理器，随后于2026年推出第七代10纳米1维DRAM，并计划于2027年前推出首款亚10纳米0安DRAM。《The Elec》援引的一位业内消息人士指出，虽然该技术仍处于研究阶段，且数年内难
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三星 DRAM
在内存价格急剧上涨的背景下，即使是三星也感受到了压力，尽管三星内部拥有强大容量。DealSite透露，三星电子DX部门CEO兼负责人卢泰文将在2026年1月6日至9日在拉斯维加斯举行的CES 2026开幕日会面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如报道所强调的，活动期间此类会议较为罕见，但消息人士称三星请求此次会议是为了应对移动DRAM供应收紧的问题。据DealSite报道，讨论将聚焦于即将推出的Galaxy S26的LPDDR5X，因为飞涨的价格使得与三星DS部门和美光的合同尚未解决。正如Se
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三星 存储 DRAM
在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存 （HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的内存领域：高带宽存储 （HBS）。正如 ETnews 报道的那样，哈佛商学院将移动 DRAM 和 NAND 相结合，以提高智能手机、平板电脑和其他移动设备的 AI 性能。报告援引消息人士解释说，SK海力士正在将低功耗宽I/O DRAM与NAND堆叠在一起，以创建HBS，它可以堆叠多达16层
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SK海力士 高带宽 存储堆叠 NAND DRAM
记忆体价格涨势持续升温，第四季DRAM市场可望迎来全面上修。 TrendForce最新调查指出，全球云端服务供应商（CSP）积极扩建数据中心，带动服务器用DRAM合约价走强，供应商同步调高报价意愿，使一般型DRAM价格预估涨幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合约价尚未完全开出，后续仍可能再次调升，反映出供需持续偏紧，市场气氛转趋乐观。观察近期CSP采购节奏，从原本保守转为积极，加单需求扩及多家原厂，尤其高容量、高频率规格的服务器DRAM需求上升，已出现排挤效应，推升主流产品报价稳步垫高
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DRAM TrendForce
在流行媒体中，“AI”通常意味着在昂贵、耗电的数据中心中运行的大型语言模型。但是，对于许多应用程序，在本地硬件上运行的较小模型更适合。自动驾驶汽车需要实时响应，没有数据传输延迟。医疗和工业应用通常依赖于无法与第三方共享的敏感数据。但是，尽管边缘 AI 应用程序可以更快、更安全，但它们的计算资源要有限得多。它们没有 TB 内存占用或有效无限的功率。对于数据中心来说，可能有些抽象的约束对边缘人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 国际内存研讨会的一篇特邀论文和随后的预印本中，ETH 计算机科学教授
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存内计算 边缘AI DRAM
2025年 10 月 23 日，爱达荷州博伊西市 — 在当今时代，人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在 AI 系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块）已正式送样，以积极拓展低功耗内存在
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美光 SOCAMM2 DRAM
在人工智能（AI）热潮带动下，全球存储器市场迎来三年来最强劲的复苏，第四季DRAM报价涨幅可望扩大至三成以上。 财信传媒董事长谢金河指出，韩国SK海力士凭借高带宽记忆体（HBM）技术脱颖而出，从过去的DRAM老三跃升为全球第一，今年股价狂飙近500%，且海力士专注于高阶制程，不仅拉高产品附加价值，也导致DDR4与DDR5大缺货，同时带旺整个存储器产业。谢金河在脸书发文指出，韩国是今年全亚洲表现最亮眼的股市，尤其自总统李在明上任后，韩股从2284.71点一路涨到3617.86点，涨幅高达58.35%。 这波
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DRAM SK海力士
DRAM缺货潮加速显现，在中国十一长假期间，存储器市场询单备货的动能不增反减，短期内现货价格持续飙升。近一周来，DDR4 DRAM涨幅已逾1成，DDR5 16Gb也调涨约8%。 尽管终端消费市场需求平淡，但各家存储器模组厂观察到市场价格涨势凶猛，包括台系业者的威刚、十铨、宇瞻等先后均「盖牌」暂停报价，等待长假结束后更明确的涨价行情。 据悉，此波暂停报价俨然已形成了连锁效应，威刚率先从上周实施暂停报价，以缺货最为严重的DDR4、DDR5为主，而NAND Flash、固态硬盘（SSD）等产品仍维持继
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内存模组 DRAM
据悉，三星电子和海力士半导体（现SK海力士）前高管崔振锡因向中国泄露三星电子自主研发的投资4万亿韩元的DRAM工艺技术而被起诉，在接受一审期间被保释。首尔中央地方法院刑事24庭（主审法官李英善，高级法官）15日批准崔某保释。崔于去年9月因违反《防止泄露和保护工业技术法》等罪名被捕起诉，并于今年3月被额外起诉。根据《刑事诉讼法》，一审拘留期为六个月。法院在拘留期届满前依职权准予保释。此外，据报道，与崔一起被捕并被起诉的前三星电子高级研究员吴氏已于 8 月 28 日被保释。吴某于同月21日申请保释，法院受理。
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DRAM 三星 海力士
各大存储器企业正专注于1c DRAM量产的新投资和转换投资。主要内存公司正在加快对 1c（第 6 代 10nm 级）DRAM 的投资。三星电子从今年上半年开始建设量产线，据报道，SK海力士正在讨论其近期转型投资的具体计划。美光本月还获得了日本政府的补贴，用于其新的 1c DRAM 设施。1c DRAM是各大内存公司计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其 HBM1（第 4 代高带宽内存）中主动采用 6c DRAM。SK海力士和美光计划在包括服务器在内的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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存储器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协商根据市场条件调整价格。在三大巨头中，美光是第一个宣布提价的，据 EE Times China9 月 12 日报道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的价格将上涨 20%-30%，提价不仅涉及消费级和工业级存储，还包括汽车电子，后者的价格涨幅可能达到 70%。行业消息来源还表
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DRAM NAND 三星 AI 海力士
全球存储器市场在生成式AI与大型云端服务商（CSP）急单带动下，正式进入新一轮长线上行。 随着业界开始惜售，业者预期，10月DDR4与DDR5合约价及现货价，皆将出现双位数涨幅。产业界大老指出，这一波内存行情涨得又快又急，可望一路延续到2026年底。根据业界对10月涨幅最新预估，DDR5合约价将上涨10~15%，现货价涨15~25%; DDR4合约价将上涨逾10%，现货价涨幅则超过15%，随着市场供货趋紧，现货价涨幅还有进一步拉升的可能。业者分析，此波涨幅的原因有二：一是AI应用与储存需求强劲，推升NAN
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存储器 DRAM
随着 ChatGPT 等人工智能应用的爆发式增长，全球对算力的需求正以指数级态势攀升。然而，人工智能的发展不仅依赖于性能强劲的计算芯片，更离不开高性能内存的协同配合。传统内存已难以满足 AI 芯片对数据传输速度的要求，而高带宽内存（HBM）凭借创新的堆叠设计，成功攻克了带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制这三大关键难题，为 AI 应用的高效运行提供了重要支撑。但如今，传统 HBM 已经受限，3D DRAM 能够提供更高带宽。同时还能进一步优化功耗表现，全球的存储厂商也普遍将 3D
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3D DRAM
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